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(111)择优取向相关论文
沉积温度对化学气相沉积法制备铜薄膜性质的影响
以双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)化铜(Cu(DPM)2)为前驱体,使用智能化学气相沉积设备在673 K至1173 K下于AlN多晶基板上制备Cu薄膜......
期刊
双(2
2
6
6-四甲基-3
5-庚二酮)化铜
Cu薄膜
化学气相沉积
沉积温度
(111)择优取向
射频磁控溅射法制备(111)取向Pt薄膜
以稀土元素Pr薄膜为缓冲层,采用低功率射频磁控溅射法在室温玻璃衬底上成功制备了(111)强烈取向的Pt薄膜,研究了退火热处理工艺对P......
期刊
PT
PR
薄膜
(111)择优取向
射频磁控溅射
热处理工艺
生长机制
Pt
Pr
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(111) orientation preference
RF
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