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LP-MOCVD生长（ZnCdTe，ZnSeTe）／ZnTe复合量子阱的激子发光研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致......

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LP-MOCVD 复合量子阱低压金属有机化学气相沉积光致发光谱激子发光半导体材料 (ZnCdTe ZnSeTe)/ZnTe 隧穿几率 complex q

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