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四甲基铵三氯化镉单晶体的研究
采用溶液降温法生长了[( C H3)4 N] Cd Cl3 化合物单晶,生长参数为:生长温度45 ℃,降温速率0 .05 ~01 ℃/d ,经过30 天生长,可获得尺寸为18 .6mm ×17 .6m m ×20 .8m m 的单晶。测定了......
期刊
溶液法晶体生长
晶体结构
[(CH3)4N
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