利用本征α－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料制成了Ａｌ－Ｓｉ１－ｘＮｘ－α－Ｓｉ：Ｈ金属－绝缘体－半导体结构，用高精度差分电容谱仪在５０℃和暗背景条件下测量了这种结构的变频电容谱及变电导谱......