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Ta^(5+)、Nb^(5+)掺杂β-Ga_(2)O_(3)单晶光电性质研究进展
β-Ga2O3作为宽禁带半导体材料,以其优越的光学性质、电学性质和广阔的应用前景近年来受到国内外学者的广泛关注。基于本研究团队......
期刊
材料
β-Ga2O3单晶
制备方法
光学性质
电学性质
material
β-Ga2
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