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μc—SiC相关论文

磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究

用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜......

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半导体技术 SIC薄膜 μc—SiC 磁控溅射拉曼光谱 semiconductor technology SiC thin films μc-SiC m

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