采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 ......

采用基于测量S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术，建立与φ76mmGaAs工艺线直接结合的GaAs器件（MESFET，PHEMT）的MMIC CAD适......