Ⅲ-Ⅴ族相关论文
Ⅲ-Ⅴ族化合物基异质结双极晶体管凭借其高功率密度以及高电子迁移率等特质被广泛用于射频、微波毫米波电路中。构建精确的器件等......
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由于ⅡI-V族半导体纳米线具有低维结构,较高的电子、空穴迁移率等优点,在未来高性能电子器件和光电器件中将会有广泛的应用价值,近......
本工作针对波长涉及紫外-可见到红外(短波红外、中红外)的几种新型Ⅲ-Ⅴ族半导体探测器与激光器结构，结合气态源分子束外延(GSMBE)......
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以砷化镓（GaAs）太阳电池为代表的Ⅲ-Ⅴ族太阳电池，具有许多突出的优点：它们的转换效率高，抗辐照性能好，太阳电池性能随温度变化较慢。因......
本文用直线法分析了具有半绝缘衬底和ｎ＾＋重掺杂外延层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体行波调制器中共平面波电极的微波特性。首先指出了在这种共......
本文评述了Ⅲ-Ⅴ族化合物等离子腐蚀的基本原理,并报导了有关工艺化学的最近进展。最后,概观等离子腐蚀在器件制作中的应用。......
法国微／纳技术研究与开发中心CEA-Leti采用标准CMOSZ艺流程将混合Ⅲ-Ⅴ族激光器与200mm硅晶圆集成。......
采用皮称量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ材料发光瞬态过程，结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带转变的带增强效应，对Ｎｘ发光带不......
９０年代初Ⅲ－Ⅴ族氮化物材料的实和化似乎还很遥远，但是自从蓝光ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤ研制成功之后这个领域发巨变。目前，ＧａＮ成为化合物半导体领域中最热门的课题......
采用ＭＢＥ制备了ＣｄＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱结构。Ｘ射线衍射谱的最高阶次是７，在７７Ｋ下ＰＬ光谱的线宽是４．２ｎｍ，表明我们的样品具有较高的质量，在变密度激发的ｐｓ时间分辨光谱中，随......
本文将五元系为分两大类，并提出用三维空间中的立体图形显示五元系化合物的组分分布；提出了五元系化合物的晶格常数和禁带宽度以及互......
利用电流－电压（Ｉ－Ｖ）电致发光（ＥＬ）和深能级瞬态傅里叶谱（ＤＬＴＦＳ）技术研究Ⅲ－Ⅴ族氮化物基异质结深电子态，观察到大电流（直流）冲击引起电流－电压和电致发光特......
Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT微波特性的精确建模对该类器件的微波功率应用极为重要．本文开发了一个可精确用于表征Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT直流、大、......
Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的表面钝化是一个长期未能完满的解决的问题，８０年代后期出现的硫钝化技术给钝化研究注入了活力，文章对有关硫化技术......
欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元......
氮元素足构成生命体的一种基本元素，广泛存在于蛋白质、氨基酸及核甘峻中。由于稳定的氮氮三键的存在，绝大部分的有机体部无法直接利......
制造出了发光强度为１２ｃｄ的超高亮度ＩｎＧａＮ单量子阱结构绿光发光二极管。这些ＩｎＧａＮＳＱＡＷ绿光ＬＥＤ的发光强度大约比常规的ＧａＰ绿光ＬＥＤ（０．１ｃｄ）高１００倍。......
以高电子迁移率晶体管、异质结双极晶体管和微波／毫米波集成电路为例，介绍化合物半导体器件的特点、封装、测试及其应用。......
本文研究了介电常数失配对ＣｄＴｅ／ＺｎＴｅ应变量子阱中浅施主杂质结合结合能的影响，在有效质量近似下，利用变分方法计算了阱宽、杂质位置及应变对结......
硅基沉积氮化镓，碳化硅，Ⅲ-Ⅴ族及其合金材料是近年来的研究热点．氮化镓，碳化硅及其Ⅲ—Ⅴ材料在光电子和电子元件领域有着广泛的应用．......
<正> 2)Ⅲ—Ⅴ族半导体 a)目标:Ⅲ—Ⅴ族半导体计划有两个主要目标:发展用于合成高质量Ⅲ—Ⅴ族化合物和合金外延半导体的生民技术......
