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Ⅲ-Ⅴ族半导体材料相关论文
利用GaAs基上InGaAs应变层制备有序排列的InAs量子点
在GaAs基InxGa1-xAs(x=0.15)应变层上生长了InAs量子点(QD)层,通过分析各层之间的应力状况和位错的演变过程,配合生长过程中对反射式......
期刊
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料
应力
量子点
有序生长
semiconducting Ⅲ-Ⅴ materials
stress
quantum dots
ordering
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