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上衬底型太阳能电池相关论文
电化学沉积CuInSe2薄膜的制备工艺及其光伏性能研究
CuInSe2(CIS)作为一种直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.1eV,与太阳光相匹配,并且其光吸收系数较高,CIS吸收层的厚度仅需几个微米,便可......
学位
电化学沉积
CIS薄膜
快速硒化退火
上衬底型太阳能电池
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