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两步退化机制相关论文
一种用于提取LDD结构n—MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法
提出了一种新的基于电荷泵技术和直流电流法的改进方法,用于提取LDD n—MOSFET沟道区与漏区的界面陷阱产生.这种方法对于初始样品以......
期刊
热载流子应力
LDD结构
超薄栅氧化层
两步退化机制
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