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中紫外发光相关论文
具有新光学性质的Zn-Zn2SiO4纳米同轴线阵列
采用气相沉积技术在Si衬底上生长了Zn-Zn2SiO4芯-壳结构纳米同轴线阵列。根部呈笋状的纳米同轴线,直径约100nm,长度可以超过10μm;同......
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纳米同轴线
中紫外发光
生长机制
nanocables
middle ultra-violet emission
growth mechanism
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