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二维集电区相关论文
非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管
介绍了在0.18μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过......
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超高压
锗硅异质结双极晶体管
击穿电压
二维集电区
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SiGe HBT
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2-D c
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