随着互补型金属氧化物半导体(CMOS)器件特征尺寸的不断缩小，Si MOS器件的发展已接近其物理极限。Ge因其高迁移率有可能取代Si成为下......

应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor,CMOS)器件进行试验验证,......