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电子束光刻制造亚微米栅长GaAs金属半导体场效应管(英文)
栅长短于0.2μm的砷化镓(GaAs)金属一半导体场效应晶体管已被我们研制成功。电子束光刻、金属剥离(lift-off)和双层及三层电子束光......
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场效应晶体管/金属半导体场效应晶体管
亚微米栅长
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