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亚14nm节点的超高k的制备方法及原理研究
随着CMOS器件特征尺寸进入到45nm及以下技术节点后,HfO2高k材料得到广泛的关注与应用。由于纯HfO2在低温退火条件下一般为非晶态或......
学位
高k金属栅
HfO2
亚14nm
电学特性
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