位错与晶界相关硕士博士期刊学术论文

在半导体材料领域发展中,第三代半导体是以氮化镓、碳化硅为主要代表的宽禁带半导体,例如:氮化镓禁带宽度为3.4 e V、氮化硼禁带宽......