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SiC晶体缺陷的阴极荧光无损表征研究
由于在研究SiC晶体缺陷对器件性能的影响的过程中,表征材料缺陷的常用的方法是破坏性的,因此寻找一种无损的测试方法对缺陷进行有......
期刊
阴极荧光
4H-SiC
无损表征
位错及堆垛层错
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