位错数量相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

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膜致韧性基体的开裂

对TiN薄膜/304SS体系以2×10-2s-1的拉伸速度加载到ε=5％.未镀膜的样品和基体未发生开裂的基体表面产生了大量的滑移台阶,而基体发......

会议

薄膜物理学韧性基体裂纹尖端位错数量

GaN材料MOCVD生长和位错研究

GaN基半导体材料是第三代半导体材料,与前两代半导体材料Si和GaAs相比,它具有禁带宽度大、击穿电场强度大、饱和电子迁移率高等优......

学位

MOCVD 重掺杂n型GaN 非极性a面GaN 半极性(11-22)面GaN 湿法腐蚀

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