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改善晶闸管薄发射区体压降的研究
就多晶硅接触薄发射极和金属接触薄发射极两种发射极对晶闸管薄发射区体压降V_(bE)的影响进行了分析比较,结果表明:多晶硅接触薄发射极结构......
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