提出了一个在较宽温度范围内能精确描述6H—SiC PMOS性能的器件模型。该模型将阈值电压、沟道迁移率、体漏电流、源漏薄层电阻的温......

考虑界面态电荷高斯分布模型以及Poole-Frenkel效应，对SiC MOSFET补偿电流源模型进行了修正，分析了造成6H—SiC NMOS与PMOS器件补偿......

作为第三代宽禁带半导体材料代表之一，碳化硅由于具有优越的电学、热学性质，因此在高温、高频及大功率场合下有广泛的应用前景。本文......