对三沟道BCCD(bulk charge-coupled device)在近红外光区的光电特性进行了研究．结果表明，锗制的三沟道BCCD不能在近红外光区实现多光......

本文对三沟道体电荷耦合器件(BCCD)在X光区的光电特性进行了数值模拟。结果表明，硅对X光的吸收曲线决定了硅制的三沟道BCCD不能在X......