倍频吸收相关论文
本文将固浸透镜技术与双光子响应探测器的研究相结合,以近本征Si和半绝缘GaAs为材料,分别制作了半球形Si基（底面为（110）面）和GaAs基（底......
理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射......
具有反演对称中心的硅单晶在电场作用下体内的反演对称中心消失,因而理论上应产生偶数阶非线性极化率。从理论上根据矢量与张量的......
首次将固浸透镜技术与双光子响应探测器的研究相结合,制作了半球形半绝缘GaAs探测器。在1.3μm连续激光的作用下,探测器的响应度在......
