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极紫外光刻技术(EUVL,λ=13.4 nm)是为小于70 nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术(NGL).在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外......
合成了含有缩酮保护基团的共聚物聚N-十二烷基丙烯酰胺／1．4-二噁螺环[4，4]壬烷-2-亚甲基甲基丙烯酸酯pDDMA／DNMMA，并用Langmuir技术构建......
90年代的后一半将是最活跃、变化最多和充满挑战的时期。以硅为主、每个元件有更多的I/OS数和小心缩小元件尺寸的新的功能性将迎接......
