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光电催化特性相关论文
电化学刻蚀4H-SiC纳米阵列及其光电催化特性
SiC是第三代半导体材料,具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和迁移率以及良好的化学稳定性等,在研发高温高压大功率等苛刻环境......
学位
电化学刻蚀
4H-SiC纳米阵列
光电催化特性
原子层沉积
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