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全硅化物金属栅相关论文
Ni基全硅化物金属栅工艺、特性及表征技术研究
随着CMOS器件尺寸的不断变小,一方面由于通过SiO2或SiON栅介质的隧穿电流呈数量级的增大,SiO2和SiON栅介质需要被具有更高介电常数......
学位
全硅化物金属栅
功函数
平带电压
界面态
C-V
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