凹槽势垒相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

凹槽势垒相关论文

AlGaN/GaN HEMT器件高压结构设计与仿真研究

氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高临界击穿场强、高饱和电子速度、抗腐蚀性强,耐高温等优秀特性,使其成为第三代半导体材料中的佼佼者......

学位

AlGaN/GaN 电场击穿电压凹槽势垒 P-GaN埋层

具有均匀凹槽势垒结构的横向AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

为了改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的表面电场、温度分布,提升器件击穿电压和稳定性,提出了一种具有均匀凹槽势垒(UGB)的新型AlGaN/G......

期刊

AlGaN/GaN 凹槽势垒电场击穿

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