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高能效4H-SiC MESFET设计与仿真
随着第三代半导体材料的日渐成熟,以及4H-SiC MESFET的器件制备工艺的完善,4H-SiC MESFET的器件优势日益显著,迅速成为半导体微波......
学位
4H-SiC MESFET
ISE-TCAD
结构设计与仿真
双高栅
凹陷缓冲层
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