采用分步偏压溅射法，在Ｓｉ（１００）衬底上制备了高质量的ＳｉＣ薄膜．傅里叶红外（ＦＴＩＲ）光谱测试表明，分步偏压法不仅有利于提高ＳｉＣ薄膜的生长速率，同时也有利于ＳｉＣ薄膜......

采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,......

被誉为最有潜力的宽禁带半导体材料一SiC，因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能......