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势垒型红外探测器相关论文
锑化物半导体超晶格外延生长与表面结构研究
以GaSb与AlSb为代表的6.1 (A|°)锑化物半导体材料及其构成的超晶格等低维结构在中长波红外探测领域有着重要的应用前景,锑化物外延......
学位
GaSb
GaAs/GaAsSb超晶格
InAs/GaSb超晶格
表面再构
势垒型红外探测器
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