ＢａＴｉＯ３的禁带宽度为３ｅＶ，在室温下的体积电阻率约为１０１２Ω·ｃｍ，通过施主掺杂，可获得室温体积电阻率为１０２～１０５Ω·ｃｍ或更低的ｎ型ＢａＴｉＯ３半导体材料。笔者进行了在......