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半带电压漂移相关论文
双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层......
期刊
半带电压漂移
低剂量率辐射损伤增强
MOS电容
总剂量
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