该文报道了GaAs VCSEL/MISS混合集成光子“或”门的制备及其特性。制备GaAsMISS光电开关工艺中，将MBE生长的超薄AlAS层氧化为AxOy......

介绍了一种半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）低温氯化物气相外延（ＶＰＥ）生长方法，生长温度为５５０℃，可为金属有机气相淀积的量子阱结构二次外延半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）盖层。４μｍ层厚时电阻率......