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研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P......
超结MOSFET具有VDMOS的输入阻抗高、驱动电流低、开关速度快、热稳定性好、安全工作区宽等优点,同时缓解了击穿电压与导通电阻的矛......