原位氮化硅掩膜相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

原位氮化硅掩膜相关论文

原位SiNx掩膜生长GaN材料的应力及其对光学性质的影响

研究了以金属有机化学气相沉积方法生长在SiNx掩模层的GaN的应力状态,以及应力对光学性质的影响.通过微区拉曼光谱对应力进行了表......

期刊

氮化镓金属有机化学气相沉积应力原位氮化硅掩膜 GaN MOCVD stress porous SiNx interlayers

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