分析了半绝缘（ＳＩ）ＧａＡｓ表面光伏的特点和公式。用表面光伏方法测量了不同砷压热处理ＳＩ－ＧａＡｓ单晶的双极扩散长度，用１．１μｍ红外吸收法测量ＥＬ２浓度，并对测量结构......

采用5种经不同砷压但相同生长温度(1000℃)和时间(5 h)处理的半绝缘(SI)GaAs样品,利用表面光伏(SPV)方法,测量和计算了SI-GaAs在室......