随着制备工艺的不断完善,碳化硅（SiC）MOSFET以其优越的材料特性,逐渐成为硅IGBT的有力替代者,可应用于轨道交通和电动汽车等中高功率......

随着现代工业的进步与功率半导体技术的发展,碳化硅（SiC）功率器件作为“新起之秀”受到越来越多的关注,被称为是推进新能源消费革命......

研制了一种3300 V碳化硅(silicon carbide, SiC) 肖特基二极管(schottky barrier diodes,SBD)嵌入式金属-氧化物半导体场效应晶体......