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建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型。D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享......
RESURF LDMOS很难兼顾击穿电压和导通电阻对结构的要求。文中采用了Double RESURF（双重降低表面电场）新结构，使漂移区更易耗尽。从理......
基于Double RESURF 700VBCD工艺平台,提出了一种夹断电压可调的高压结性场效应管(J-FET)。这种J-FET的夹断是通过栅源反偏引起的N......
