碳化硅（SiC）是近年来备受瞩目的第三代半导体之一,因其宽禁带,高击穿场强,高导热率被广泛应用在高温、高压、大功率电力电子器件领域......

揭示了sialon块体材料的变温氧化机理,建立了变温氧化的定量氧化模型,并用此模型拟合β-sialon-Al2O3材料,O＇-sialon-ZrO2-SiC材料......