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变温霍耳相关论文
Si基HgCdTe材料的电学特性研究
文章研究了Si基分子束外延HgCdTe原生材料、P型退火材料和N型退火材料的霍耳参数、少子寿命等材料电学特性。研究发现,晶格失配导致......
期刊
SI基
HGCDTE
电学参数
少子寿命
变温霍耳
分子束外延
Si-substrate
HgCdTe
electrical properties
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