台面终端造型相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

台面终端造型相关论文

SiC基反向开关晶体管RSD关键工艺概述

本文首次概述了采用宽禁带半导体材料4H-SiC制备脉冲功率开关反向开关晶体管（RSD）所涉及到的关键工艺。包括选择性刻蚀、选择性掺杂......

期刊

SIC RSD 脉冲功率开关工艺 ICP刻蚀离子注入台面终端造型 SiC RSD pulsed power switch process ICP etch

看过本文同时还关注