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右势垒剪裁相关论文
GaN HFET沟道中的电子态转换和沟道右势垒剪裁
在分析AIGaN/GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上,研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高......
期刊
GAN
HFET沟道
电子态转换
输运特性
噪声
右势垒剪裁
GaN HFET channel electron state transformation
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