提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术 .讨论了寄生栅源电......

介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延 .采用两步外延工艺 ,研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数 α的影响 .硅烷流量......

通过对SIT器件研制的大量实验,研制了SiH_4同步外延工艺对SIT器件主要电学数(BV_(GSO),BV_(GDO)和 G_m 等)的影响,认为该器件的栅......

提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术，讨论了寄生栅源电容......

介绍了多晶硅、单晶硅的同步外延．采用两步外延工艺，研究了硅烷流量、外延时间以及外延温度对外延质量参数α的影响．硅烷流量大、初始......