异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transisitor,HBT)因其优良的高频性能及其与硅基CMOS工艺兼容的优点,使之成为毫米波频......

随着半导体工艺的快速发展,种种新工艺和新材料如雨后春笋般涌现,诸多新型的晶体管也应运而生。但是现在工艺和市场的需求,大多数......

MOSFET高频噪声的建模是其在无线通信中应用的基础。面向低功耗、混合信号及高频应用的短沟道COMS技术,其最佳的高频特性已从低中......

基于40 nm MOSFET的器件物理结构,建立了统一的MOSFET毫米波噪声模型,以此来表征漏极电流噪声、感应栅极电流噪声以及两者之间的互......

特征尺寸为几十纳米量级的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)因其具有成本和功耗低且集成度高等优点,使之成为现代和下一代无......

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