用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备a-Si:H薄膜,通过固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500-650℃).利用X射线衍射分析多晶硅......

固相晶化法制备多晶硅薄膜技术具有大面积制备、可大批量处理、易于形成生产线等优点，因此它成为一种很具优势的多晶硅晶化技术。但......

用等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）法制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜材料（衬底温度２００℃￣３５０℃），用固相晶化法（ＳＰＣ）获得多晶硅薄膜（退火温度５００℃￣６５０℃）。用Ｘ射线衍射法测得平均晶粒尺寸依赖......