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本文使用清华大学微电子学研究所自主研发的UHV/CVD系统深入研究了图形外延SiGe工艺,分别选用单一的SiO2介质层和SiO2/Poly-Si复合......
为了改善高压功率SiGe HBT的综合性能,应用图形外延SiGe工艺,研制出了一种新型的双多晶自对准SiGe HBT器件.相对于双台面结构的SiG......
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期刊
为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成，降低位错密度，基于渐变温度控制方法和图形外延技术，结合BiCMOS工艺，研发了在Si衬底上制备高......
