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氮化镓（GaN）具有高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度,并且Al GaN/GaN异质结能形成高迁移率高密度的二维电子气（2DEG）,故在高频、高效......
学位
Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点，在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有......
近年来,GaN异质结场效应晶体管（HFET）由于具有高稳定性、高击穿电压以及高电流等优良特性已经在功率半导体领域受到广泛关注。相比于......
增强型GaN HEMT器件具有耐高压、耐高温、低导通损耗和低开关损耗的特点,被广泛应用于高压高频的功率转换领域。非钳位式感性负载......
为解决含油废水处理难题,以聚四氟乙烯-全氟丙基乙烯基醚（PFA）为成膜聚合物,聚乙烯醇（PVA）为粘接剂,采用浸渍-烧结法制备了聚间苯二甲......
氮化镓基高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistor,HEMT）具有传统硅基器件难以企及的高击穿电压、高功率密度及低开关......
农业环境中广泛分布着曲霉属和青霉属等产毒真菌株,能够产生赭曲霉毒素A（OTA）。OTA是毒副作用最强、污染最为严重的真菌毒素之一,已......
为获得更高的阈值电压,提出了一种新型栅下双异质结增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).使用双异质结电荷控制模型分析了基......
GaN基HEMT器件是当前最受关注的电力电子器件之一,具有非常广泛的应用前景。为了不断提高HEMT器件在电源开关领域的的工作性能,需......
以硅（Si）材料为基础的工业半导体取得了前所未有的进步,然而其较小的带隙无法满足半导体器件在高压、高频、高功率以及短波长发光和......
相比于传统的第一代、第二代和第三代半导体,β-Ga2O3作为一种新型的半导体材料,具有4.8-4.9 e V的超宽禁带宽度和8 MV/cm的超高临......
人工智能(AI)和智慧技术正在以不可想象的速度渗透到我们的生活之中.那么这些新技术对于ISO 9001和ISO 14001管理体系会产生什么影......
相比于传统Si基功率MOSFET,AlGaN/GaN HEMT具有更强的沟道导电能力、更小的寄生电容（CISS和COSS）,且不存在由寄生体二极管引入的反向......
增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响.在同一晶圆衬底上,采用干法......
p-GaN栅结构是一种极具潜力的实现增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法。目前，国内外各研究小组及公司普遍采用刻蚀工艺来......
鉴于传统半桥型模块化多电平换流器(HBSM-MMC)无法阻断直流故障电流的不足，通过对半桥子模块进行改造并增加桥臂阻尼模块(BDM)，提出......
化学传感器可将待测物化学组分及其含量直接转化为电信号输出，在环境监测、生产过程中的监控及气体成分分析、气体泄漏报警等方面发......
多孔钛由于孔隙结构的存在能够有效降低其弹性模量及强度，减轻了钛植入体与骨组织间的应力屏蔽；同时，独特的多孔结构有利于成骨细胞的......
六氟化硫(SF6)广泛应用于电力工业中，对SF6痕量气体进行检测对于监测大气环境、维护电力系统等具有重要的作用。光声光谱技术是痕量......
目前,网络融合正处于转折的阶段,而这一过程可能会持续3～4年。结合自身的发展,Emulex将这一过程划分为六个阶段。 技术概念 ......
“上云是常态，不上云是例外”，已经成为业内共识，然而，IT主管们却越来越担心多云环境中的工作负载。有调查显示，58%的IT主管表示迁移数......
在美军现役轻武器中，M2HB重机枪堪称几朝元老，曾参加过第二次世界大战、朝鲜战争、越南战争、海湾战争、科索沃战争、阿富汗战争以及......
据美军士兵计划执行办公室称，AN／PSQ－20增强型夜视镜目前已装备美军第10山地师。 AN／PSQ－20增强型夜视镜是一种安装在头盔上的单兵夜......
1SR25 7.62mm增强型竞赛步枪，美国奈特军械公司研制 2OA15 5.56mm突击步枪，德国奥伯兰德武器公司研制 3XM2010 0.300英寸增强......
ADCOR防务公司于2011年5月宣布，该公司研制的布朗增强型自动步枪（Brown Enhanced Automatic Rifle）进入军用单兵卡宾枪市场，与现役M4卡......
综述了国内外有关增强型、高温型、阻醇型复合质子交换膜及特殊性能复合质子交换膜的研究,就复合质子交换膜研究领域现状对其发展......
2018年10月1日,北京讯——德州仪器(TI)近日推出新款增强型隔离放大器。该款隔离放大器具有业内最高的精度和工作电压,同时使用寿......
楔形板是放射治疗过程中经常被采用的一种线束修整装置.通常用重金属制成的楔形板虽然可以改善剂量分布,但会有使射线质变硬、增加......
人生因事业而精彩，事业因热爱而成功。面对一次次荣誉，她主动“归零”，只有树立新的起点，才能攀登更高的台阶。 作为海淀园碧水源企......
<正>Long-lasting phosphorescent(LLP)materials have attracted considerable attention since green and blue emitting persis......
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提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生......
介绍了增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法,并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数.利用ADS......
提出一种复合沟道氟离子(F-)增强型AlGaN/GaN HEMT(Hybrid-channel enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT,HCE-HEMT)新结构。该结构引......
GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件。介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关......
免基质激光解吸/电离质谱(LDI-MS)已广泛用于小分子分析物(＜700 Da)的检测。纳米硅材料具有低电子-空穴复合效率、高电荷载流子......
21世纪是材料、生物、信息三大科学领军和横跨的创新时代.膜生物反应器(MBR）工艺正是将物理、生物、化学等学科已有的技术融溶为一......
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纳米银簇以其出色的光物理性质、亚纳米粒径、良好的生物相容性、低成本、制备环境友好等优点成为了纳米-生物器件设计及应用......
重金属离子与人体健康及环境污染等问题密切相关,对重金属离子的检测受到广泛关注。荧光传感器由于其灵敏度高,选择性好,响应......
