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复合增强缓冲层相关论文

Ti,N共掺杂4H-SiC复合增强缓冲层生长及其对PiN二极管正向性能稳定性的改善

"双极型退化"现象严重阻碍了4H-SiC双极型器件如PiN二极管等的产品化,其微观机理是电子-空穴复合条件下层错由基面位错处的扩展.为......

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4H-SIC Ti掺杂复合增强缓冲层双极型退化 4H-SiC Ti doping recombination-enhancing buffer layer

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