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65nm以下线宽的纳电子器件，要求采用介电常数k小于2的超低介电常数材料作为层间和线间绝缘介质，等离子体增强的化学气相沉积技术制备......
采用紫外光辐照超低介电常数多孔SiCOH薄膜,研究不同照射时间对薄膜结构和性能的影响。采用动态纳米压入技术测量薄膜的力学性能,......
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随着超大规模集成电路的特征尺寸不断缩小,微电子器件的集成度不断提高,由器件内部金属连线的电阻和绝缘介质层的电容所形成的阻容......
