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薄层SOI pLDMOS器件击穿机理研究
SOI(Silicon on insulator)技术相比体硅材料具有高速、高集成度、低泄漏电流和隔离性好等优点而越来越广泛的用于功率集成电路中......
学位
薄层SOI
pLDMOS
击穿机理
横向变掺杂
多层场板
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